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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon 会议论文 international-union-of-materials-research-societies international conference on advanced materials (iumrs-icam 99), beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Lei HB; Yang QQ; Ou HY; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 Er-doped silicon  photoluminescence  energy transfer  AL2O3 WAVE-GUIDES  ER  ELECTROLUMINESCENCE  EPITAXY  GAAS   High power 980 nm Al-free strained quantum-well lasers for erbium-doped fiber amplifiers 会议论文 international-union-of-materials-research-societies international conference on advanced materials (iumrs-icam 99), beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Chen LH; Xu ZT; Ma XY; Zhang JM; Yang GW; Xu JY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 high power  Al-free laser  communication  EPITAXY   Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon 期刊论文 optical materials, 2000, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 255-258 Lei HB; Yang QQ; Ou HY; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 Er-doped silicon  photoluminescence  energy transfer  AL2O3 WAVE-GUIDES  ER  ELECTROLUMINESCENCE  EPITAXY  GAAS   High power 980 nm Al-free strained quantum-well lasers for erbium-doped fiber amplifiers 期刊论文 optical materials, 2000, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 201-204 Chen LH; Xu ZT; Ma XY; Zhang JM; Yang GW; Xu JY 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 high power  Al-free laser  communication  EPITAXY   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga,Al)As/InAlAs/InP  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS