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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1999    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical properties of nanometer silicon prepared by silicon ion implanted into sio2 layers 期刊论文 Journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 417-422 作者:  Ding, K;  Li, GH;  Han, HX;  Wang, ZP 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Nc-si  Ion implantation  Thermal annealing  Photoluminescence  Raman scattering   Optical properties of nanometer silicon prepared by silicon ion implanted into SiO2 layers 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 417-422 Ding K; Li GH; Han HX; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 nc-Si  ion implantation  thermal annealing  photoluminescence  Raman scattering  VISIBLE-LIGHT EMISSION  THERMAL SIO2-FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  NANOCRYSTALS  LUMINESCENCE