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碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法 专利
专利号: 200910198967.4, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者:  1 叶振华 2 尹文婷3 马伟平4 黄建 5林春 6 胡晓宁 7 丁瑞军8 何力
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离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法 专利
专利号: 200910198960.2, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者:  1 叶振华 2黄建3 祝海彬4 尹文婷5林春 6 胡晓宁 7 丁瑞军 8 何力
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一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器 专利
专利号: 201010182364.8, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者:  1 叶振华 2 陆伟 3黄建 4邢雯5 刘丹 6 冯靖文7林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法 专利
专利号: 201010182280.4, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者:  1 叶振华 2黄建 3 胡伟达 4 尹文婷 5 马伟平 6 陈昱7林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法 专利
专利号: 200910198969.3, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者:  1 叶振华 2 黄建 3 胡伟达 4 尹文婷5 林春 6 陈路 7 廖清君8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2011/07/07
红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法 专利
专利号: 200910198962.1, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者:  1 叶振华 2尹文婷3胡伟达4 黄建5 马伟平 6 林春 7 廖清君 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法 专利
专利号: 200910198961.7, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者:  1 叶振华 2 黄建 3杨建荣4 尹文婷5 邢雯 6 林春 7 陈兴国 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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