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| 50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术 期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 1, 页码: 49-53
作者: 孙权志; 孙瑞赟; 魏彦锋; 孙士文; 周昌鹤
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| 碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201210142488.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1孙瑞贇 2杨建荣 3魏彦锋 4张传杰 5孙权志 6陈倩男 7张娟 8陈晓静
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| HgCdTe薄膜材料组分分布对器件响应光谱的影响 期刊论文
红外与毫米波学报, 2013, 卷号: 32, 期号: 3
崔宝双; 魏彦锋; 孙权志; 杨建荣
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| 碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制方法 专利
专利号: 200810204569.4, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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| 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 专利
专利号: 201010565049.3, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者: 1 张传杰 2 陈晓静 3 魏彦锋 4 杨建荣
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| 耐真空及高压有保护气体的可移动密封装置 专利
专利号: 200810204565.6, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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| 汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法 专利
专利号: 200810204564.1, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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| 激活退火对As掺杂型HgCd Te材料的影响 期刊论文
激光与红外, 2010, 卷号: 40, 期号: 5
作者: 李艳鹏; 张传杰; 徐庆庆; 魏彦锋; 杨建荣
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| 用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟 专利
专利号: 200710045151.9, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者: 魏彦锋 徐庆庆 杨建荣 陈新强
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| 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法 专利
专利号: 200810033251.4, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者: 1赵守仁 2陆修来 3魏彦锋 4陈新强 5杨建荣 6丁瑞军 7何力
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