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科研机构
半导体研究所 [5]
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期刊论文 [5]
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2020 [3]
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Rectification behavior of polarization effect induced type-II n-GaN/n-type β-Ga2O3 isotype heterojunction grown by metal organic vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 127, 期号: 1, 页码: 015302
作者:
Weijiang Li
;
Xiang Zhang
;
Jie Zhao
;
Jianchang Yan
;
Zhiqiang Liu
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Tongbo Wei
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2021/12/16
Investigation of coherency stress-induced phase separation in AlN/AlxGa1−xN superlattices grown on sapphire substrates
期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2020, 卷号: 22, 期号: 18, 页码: 3198-3205
作者:
Weijiang Li
;
Liang Guo
;
Shengnan Zhang
;
Qiang Hu
;
Hongjuan Cheng
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Tongbo Wei
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2021/06/17
(100)-Oriented gallium oxide substrate for metal organic vapor phase epitaxy for ultraviolet emission†
期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2020, 卷号: 22, 期号: 18, 页码: 3122-3129
作者:
Weijiang Li
;
Liang Guo
;
Shengnan Zhang
;
Qiang Hu
;
Hongjuan Cheng
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Tongbo Wei
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2021/06/16
Epitaxy of III-Nitrides on β-Ga2O3 and Its Vertical Structure LEDs
期刊论文
Micromachines, 2019, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 322
作者:
Weijiang Li
;
Xiang Zhang
;
Ruilin Meng
;
Jianchang Yan
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Tongbo Wei
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2020/07/31
High quality GaN epitaxial growth on β -Ga 2 O 3 substrate enabled by self- assembled SiO 2 nanospheres
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 525, 页码: 125211
作者:
Xiang Zhang
;
Tongbo Wei
;
Kuankuan Ren
;
Zhuo Xiong
;
Weijiang Li
;
Chao Yang
;
Liang Zhang
;
Junxi Wang
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提交时间:2020/08/05
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