QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106106 Tang HM (Tang Hai-Ma); Zheng ZS (Zheng Zhong-Shan); Zhang EX (Zhang En-Xia); Yu F (Yu Fang); Li N (Li Ning); Wang NJ (Wang Ning-Juan) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/11/02 silicon-on-insulator wafers  radiation hardness  nitrogen implantation   Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451 Zheng, ZS (Zheng Zhong-Shan); Zhang, EX (Zhang En-Xia); Liu, ZL (Liu Zhong-Li); Zhang, ZX (Zhang Zheng-Xuan); Li, N (Li Ning); Li, GH (Li Guo-Hua) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/03/29 SIMOX