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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Algan/aln/gan/sic hemt structure with high mobility gan thin layer as channel grown by mocvd 期刊论文 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298, 页码: 835-839 作者:  Wang, Xiaoliang;  Hu, Guoxin;  Ma, Zhiyong;  Ran, Junxue;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 2deg  Mocvd  Algan/gan  Hemt  Power device   AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 835-839 Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Ma ZY (Ma Zhiyong); Ran JX (Ran Junxue); Wang CM (Wang Cuimei); Mao HL (Mao Hongling); Tang H (Tang Han); Li HP (Li Hanping); Wang JX (Wang Junxi); Zeng YP (Zeng Yiping); Jinmin LM (Li Jinmin); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/29 2DEG   Room temperature continuous wave operation of 1.33-micron InAs/GaAs quantum dot laser with high output power 期刊论文 chinese optics letters, 2006, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 413-415 作者:  Xiaohong Yang;  Qin Han;  Zhichuan Niu;  Yingqiang Xu;  Hongling Peng 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 482-488 作者:  Wu Donghai;  Han Qin;  Peng Hongling;  Niu Zhichuan 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1860-1864 作者:  Xu Yingqiang;  Yang Xiaohong;  Xu Yingqiang;  Han Qin;  Niu Zhichuan 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/11/23