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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of annealing on the interfacial properties and energy-band alignment of AlN dielectric on 4H–SiC 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 117, 期号: 10, 页码: 102105 作者:  Zhanwei Shen;   Feng Zhang;   Jun Chen;   Zhao Fu;   Xingfang Liu;   Guoguo Yan;   Bowen Lv;   Yinshu Wang;   Lei Wang;  Wanshun Zhao;   Guosheng Sun;   Yiping Zeng 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2021/05/25 The composition and interfacial properties of annealed AlN films deposited on 4H-SiC by atomic layer deposition 期刊论文 Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 卷号: 94, 页码: 107-115 作者:  Jun Chen ;   Bowen Lv ;   Feng Zhang ;   Yinshu Wang ;   Xingfang Liu ;   Guoguo Yan ;   Zhanwei Shen ;   Zhengxin Wen ;   Lei Wang ;   Wanshun Zhao ;   Guosheng Sun ;   Chao Liu ;   Yiping Zeng 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/07/31