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一种制作白光发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者: 韩培德

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一种单/多层异质量子点结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者: 韩培德

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钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 135-138
作者: 韩培德; 黎大兵

收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2010/11/23

表面应力诱导InGan量子点的生长及其性质 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 39-43
作者: 韩培德; 黎大兵

收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2010/11/23

InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 380-384
作者: 黎大兵; 韩培德

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GaN的声表面波特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164
作者: 韩培德; 黎大兵

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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国

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R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究 期刊论文
人工晶体学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 451-455
作者: 韩培德

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铟镓氮薄膜的光电特性 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 143-148
作者: 韩培德

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离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响 期刊论文
物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324
作者: 杨少延

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