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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：武汉理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface engineering for high-performance top-gated MoS2 field-effect transistors. 期刊论文 Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 2014, 卷号: 26, 期号: 36, 页码: 6255-6261 作者:  Zou, Xuming;  Wang, Jingli;  Chiu, Chung-Hua;  Wu, Yun;  Xiao, Xiangheng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/04 MoS2  interface engineering  top-gated  transistors  two-dimensional materials   Tunable electrical properties in high-valent transition-metal-doped ZnO thin-film transistors 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2014, 卷号: 35, 期号: 7, 页码: 759-761 作者:  Xu, Lei;  Li, Zhe;  Liu, Xingqiang;  Wang, Jingli;  Xiao, Xiangheng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/04 ZnO  thin film transistor  transition-metal  threshold voltage  stability.