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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Bit-line self cutting-off technique to combat excessive leakage current for high-performance SRAM 期刊论文 Journal of Computational Information Systems, 2015, 卷号: Vol.11 No.17, 页码: 6303-6309 作者:  Li,Ruixing;  Guan,Lijun;  Li,Zhengping;  Zhu,Jiajun;  Peng,Chunyu 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/22 SRAM (Static random access memory) bit line leakage current compensation circuit 专利 申请日期: 2012-01-01, 作者:  XIULONG WU;  CHAO XU;  ZHENGPING LI;  NA BAI;  SHOUBIAO TAN 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/19 A High Robust SRAM Bitcell under Optimum-Energy Supply Voltage 期刊论文 FRONTIERS OF MANUFACTURING AND DESIGN SCIENCE II, PTS 1-6, 2012, 卷号: Vol.121-126, 页码: 1332-1337 作者:  Li Ruixing;  Bai Na;  Gong Zhanli;  Tan Shoubiao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 SRAM  low  leakage  current  optimum  energy-per-operation  static  noise  margin   A High Robust SRAM Bitcell under Optimum-Energy Supply Voltage 会议论文 台湾, 0000-00-00 00:00:00 作者:  Li Ruixing;  Bai Na;  Gong Zhanli;  Tan Shoubiao 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 SRAM  low  leakage  current  optimum  energy-per-operation  static  noise  margin