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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：上海大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhanced Stability in Zr-Doped ZnO TFTs With Minor Influence on Mobility by Atomic Layer Deposition 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 页码: 1760-1765 作者:  Yang, Jun[1];  Zhang, Yongpeng[2];  Qin, Cunping[3];  Ding, Xingwei[4];  Zhang, Jianhua[5] 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/22 Atomic layer deposition (ALD)  oxygen defects  temperature stability  Zr-doped ZnO (ZrZnO) thin-film transistors (TFTs)