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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Thermal oxidation behaviors of GaN powders 期刊论文 MATERIALS LETTERS, 2005, 卷号: 59, 期号: 29-30, 页码: 4041-4043 作者:  Xiao, HD;  Ma, HL;  Xue, CS;  Zhuang, HZ;  Ma, J 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/03 thermal oxidation behaviors  thermal annealing  GaN  Ga2O3   Structural characterization of Zn3N2 nanowires prepared by nitridation technique 期刊论文 MATERIALS LETTERS, 2005, 卷号: 59, 期号: 21, 页码: 2643-2646 作者:  Zong, FJ;  Ma, HL;  Ma, J;  Xue, CS;  Zhang, XJ 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/03 nitridation method  Zn3N2  nanowires  structural characterization   GaO2H, alpha-Ga2O3 and beta-Ga2O3 powders synthesized from ball-milled GaN powders 期刊论文 MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, 2005, 卷号: 94, 期号: 2-3, 页码: 261-265 作者:  Xiao, HD;  Ma, HL;  Liang, W;  Xue, CS;  Zhuang, HZ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/03 GaO2H  alpha-Ga2O3  beta-Ga2O3  GaN  ball-milled  thermal annealing   Nano-structures and properties of zinc nitride prepared by nitridation technique 会议论文 5th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing, NOV 02-05, 2004 作者:  Zong, FJ;  Ma, HL;  Xue, CS;  Zhuang, HZ;  Zhang, XJ 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 nitridation method  Zn3N2  nanowires  structural characterization   Synthesis and thermal stability of Zn3N2 powder 期刊论文 Solid State Communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 8, 页码: 521-525 作者:  Zong FJ;  Ma HL;  Xue CS;  Zhuang HZ;  Zhang XJ 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/03 semiconductor Zn3N2 powders  nitridation method synthesis  crystal structure and symmetry  thermal stability  THIN-FILMS  OPTICAL-PROPERTIES  ZINC-OXIDE   Characterization of GaN films grown on silicon (111) substrates 期刊论文 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2003, 卷号: 325, 期号: 1-4, 页码: 230-234 作者:  Yang, YG;  Ma, HL;  Xue, CS;  Hao, XT;  Zhuang, HZ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/14 GaN films  photoluminescence  Si (111) substrates  annealing  RF  magnetron sputtering   Preparation and properties of GaN films on Si(111) substrates 期刊论文 SCIENCE IN CHINA SERIES G-PHYSICS ASTRONOMY, 2003, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 8 作者:  Yang, YG;  Ma, HL;  Hao, XT;  Ma, J;  Xue, CS 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/14 photoluminescence  gallium nitride films  Si (111)   Preparation and properties of GaN films on Si(111) substrates 期刊论文 Science in China(Series G), 2003, 期号: 02, 页码: 173-177 作者:  Yang YG(杨莺歌);  Ma HL(马洪磊);  Hao XT(郝晓涛);  Ma J(马瑾);  Xue CS(薛成山) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/14 photoluminescence  gallium nitride films  Si(Ⅲ)   Preparation and properties of GaN nanostructures by post-nitridation technique 期刊论文 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2003, 卷号: 334, 期号: 3-4, 页码: 287-291 作者:  Yang, YG;  Ma, HL;  Xue, CS;  Zhuang, HZ;  Jin-Ma 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/14 GaN nanostructures  optical properties  post-nitridation   Properties for GaN films on silicon (111) substrates 期刊论文 MATERIALS, DEVICES, AND SYSTEMS FOR DISPLAY AND LIGHTING, 2002, 卷号: 4918, 页码: 187-192 作者:  Yang, YG;  Ma, HL;  Xue, CS;  Zhuang, HZ;  Ma, J 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/14 GaN films  Si (III) substrates  photoluminescence  sputtering  post-annealing-reaction technique