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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文 中国物理B（英文版）, 2014, 期号: 2, 页码: 426-430 作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Dun SB(敦少博);  Yin JY(尹甲运) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 肖特基二极管  AlGaN  相对介电常数  阻挡层  基金属  应变  异质  AIN   Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文 Chinese Physics B, 2014, 期号: 02, 页码: 430-434 作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Dun SB(敦少博);  Yin JY(尹甲运) 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 Al(Ga)N/GaN  strain  relative permittivity  Schottky metal   Directly extracting both threshold voltage and series resistance from the conductance-voltage curve of an AlGaN/GaN Schottky diode 期刊论文 Chinese Physics B, 2013, 期号: 07, 页码: 430-433 作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Dun SB(敦少博);  Yin JY(尹甲运) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/23 AlGaN/GaN heterostructure  Schottky diode  threshold voltage  series resistance   Resolution of diabetes mellitus by ileal transposition compared with biliopancreatic diversion in a nonobese animal model of type 2 diabetes. 期刊论文 Canadian journal of surgery: Journal canadien de chirurgie, 2011, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 243-251 作者:  Zhang GY;  Wang TT;  Cheng ZQ;  Feng JB;  Hu SY 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23 Ileal transposition controls diabetes as well as modified duodenal jejunal bypass with better lipid lowering in a nonobese rat model of type II diabetes by increasing GLP-1. 期刊论文 Annals of Surgery, 2008, 卷号: 247, 期号: 6, 页码: 968-975 作者:  Wang TT;  Hu SY;  Gao HD;  Zhang GY;  Liu CZ 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 Rattus norvegicus  glucagon-like peptide 1  Diabetes  bypass