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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-quality GaN film grown by HVPE with an anodized aluminum oxide mask 期刊论文 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2006, 卷号: 9, 期号: 7, 页码: G242-G244 Lei, BL; Yu, GG; Ye, HH; Meng, S; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  THREADING DISLOCATIONS  OPTICAL-PROPERTIES  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE  LAYERS  REDUCTION  TEMPLATES  SI(111)