QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：过程工程研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ultra-fast photodetectors based on high-mobility indium gallium antimonide nanowires 期刊论文 NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10, 页码: 10 作者:  Li, Dapan;  Lan, Changyong;  Manikandan, Arumugam;  Yip, Senpo;  Zhou, Ziyao 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2019/06/14 Manipulating III-V Nanowire Transistor Performance via Surface Decoration of Metal-Oxide Nanoparticles 期刊论文 ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2017, 卷号: 4, 期号: 12 作者:  Wang, Fengyun;  Yip, SenPo;  Dong, Guofa;  Xiu, Fei;  Song, Longfei 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/08/14 Enhancement Modes  Iii-v Nanowires  Metal-oxide Nanoparticles  Surface Decoration  Threshold Voltage   Controllable III-V nanowire growth via catalyst epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2017, 卷号: 5, 期号: 18, 页码: 4393-4399 作者:  Han, Ning;  Wang, Ying;  Yang, Zai-xing;  Yip, SenPo;  Wang, Zhou 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/07/10 Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, < 111 >-Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor-Solid-Solid Chemical Vapor Deposition 期刊论文 ACS NANO, 2017, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 4237-4246 作者:  Yang, Zai-xing;  Liu, Lizhe;  Yip, SenPo;  Li, Dapan;  Shen, Lifan 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/09/06 Gasb Nanowires  Growth Orientation  High Mobility  Vapor-solid-solid  Interface Plane Orientation  In-plane Lattice Mismatch   Crystal Orientation Controlled Photovoltaic Properties of Multilayer GaAs Nanowire Arrays 期刊论文 ACS NANO, 2016, 卷号: 10, 期号: 6, 页码: 6283-6290 作者:  Han, Ning;  Yang, Zai-xing;  Wang, Fengyun;  Yip, SenPo;  Li, Dapan 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2016/08/22 GaAs nanowire  orientation  contact printing  X-ray diffraction  photovoltaic  Schottky contact   Approaching the Hole Mobility Limit of GaSb Nanowires 期刊论文 ACS NANO, 2015, 卷号: 9, 期号: 9, 页码: 9268-9275 作者:  Yang, Zai-xing;  Yip, Senpo;  Li, Dapan;  Han, Ning;  Dong, Guofa 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2015/11/16 GaSb nanowires  surfactant-assisted chemical vapor deposition  diameter dependent  growth orientation  hole mobility