QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-memory Direct Processing based on Nanoscale Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions 期刊论文 Nanoscale, 2018 作者:  Wei JQ(魏家琦);  Cui HS(崔虎山);  He XB(贺晓彬);  Li JJ(李俊杰);  Zhao C(赵超) 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/05/20 Low-Temperature Performance of Nanoscale Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With Double MgO-Interface Free Layer 期刊论文 IEEE Transactions on Magnetics, 2018 作者:  Wang LZ(王乐知);  Hu YP(胡艳鹏);  Jiang QF(姜齐风);  Cui HS(崔虎山);  Zhao C(赵超) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/05/20