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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 40×Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip 会议论文 作者:  Xu XX(许晓欣);  Tai L(台路);  Gong TC(龚天成);  Yin JH(殷嘉浩);  Peng Huang 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/13 Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory 期刊论文 Chinese Physics B, 2018 作者:  Liu J(刘璟);  Xu XX(许晓欣);  Chen CB(陈传兵);  Gong TC(龚天成);  Yu ZA(余兆安) 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/04/12 Classification of Three-Level Random Telegraph Noise and Its Application in Accurate Extraction of Trap Profiles in Oxide-Based Resistive Switching Memory 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Gong TC(龚天成);  Xu XX(许晓欣);  Yu J(余杰);  Dong DN(董大年);  Lv HB(吕杭炳) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/18 The impact of RTN signal on array level resistance fluctuation of resistive random access memory 期刊论文 Electron Device Letters, 2018 作者:  Xu XX(许晓欣);  Chen CB(陈传兵);  Liu J(刘璟);  Dong DN(董大年);  Yuan P(袁鹏) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/04/18 Self-Rectifying and Forming-Free Resistive-Switching Device for Resistive-Switching Device for 期刊论文 IEEE Electron Device Letter, 2018 作者:  Luo Q(罗庆);  Zhang XM(张续猛);  Hu Y(胡媛);  Gong TC(龚天成);  Xu XX(许晓欣) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/10 8-layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications 会议论文 作者:  Luo Q(罗庆);  Xu XX(许晓欣);  Gong TC(龚天成);  Lv HB(吕杭炳);  Dong DN(董大年) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/07/26 BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond 会议论文 作者:  Lv HB(吕杭炳);  Xu XX(许晓欣);  Yuan P(袁鹏);  Dong DN(董大年);  Gong TC(龚天成) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/07/26