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| 一种有效提高阻变存储器耐久性的方法 专利
专利号: CN201410643264.9, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2015-03-25
作者: 龙世兵 ; 王国明; 张美芸; 李阳; 许定林
  收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/03/06 |
| Correlation analysis between the current fluctuation characteristics and the conductivefilament morphology of HfO2-based memristor 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017
作者: Zhang MY(张美芸); Long SB(龙世兵); Liu M(刘明)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/07/12 |
| 对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法 专利
专利号: CN201410377423.5, 申请日期: 2017-10-17, 公开日期: 2014-11-05
作者: 王国明; 龙世兵; 张美芸; 李阳; 许晓欣
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2018/04/27 |
| Investigation on the Conductive Filament Growth Dynamics in Resistive Switching Memory via a Universal Monte Carlo Simulator 期刊论文
SCIeNTIfIC REporTS, 2017
作者: Li Y(李昱); Zhang MY(张美芸); Long SB(龙世兵); Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2018/07/13 |
| 阻变存储器参数离散性及阻变机制研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2017
作者: 张美芸
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/08/22 |
| Anisotropic Magnetoresistance of Nanoconductive Filament in Co/HfO2/Pt Resistive Switching Memory 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017
作者: Liu Q(刘琦); Liu M(刘明); Lv HB(吕杭炳); Zhang MY(张美芸); Long SB(龙世兵)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2018/07/12 |
| A cell-based clustering model for the reset statistics in RRAM 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017
作者: Sun H(孙浩); Zhang MY(张美芸); Li Y(李昱); Long SB(龙世兵); Liu Q(刘琦)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/07/13 |
| 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 专利
专利号: CN201310491719.5, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2014-01-22
作者: 龙世兵; 王国明; 张美芸; 李阳; 王明
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2018/04/27 |
| 一种降低阻变存储器电铸电压的方法 专利
专利号: CN201410222652.X, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2014-07-30
作者: 吕杭炳; 刘琦; 刘明; 刘红涛; 龙世兵
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2018/04/27 |
| Current compliance impact on the instability of HfO2-based RRAM devices 会议论文
作者: Zhang MY(张美芸); Li Y(李阳); Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳); Liu M(刘明)
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2017/05/19 |
