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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：宁波材料技术与工程研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Visible-Light-Enabled C-H Functionalization by a Direct Hydrogen Atom Transfer Uranyl Photocatalyst 期刊论文 CHEMISTRY-A EUROPEAN JOURNAL, 2020 作者:  Yu, Jipan;  Zhao, Chongyang;  Zhou, Rong;  Gao, Wenchao;  Wang, Shuai 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2020/12/16 PARA-QUINONE METHIDES  PHOTOREDOX CATALYSIS  1,6-CONJUGATE ADDITION  C(SP(3))-H BONDS  DIRECT ARYLATION  ACTIVATION  ALKYLATION  ACCESS  HYDROALKYLATION  AROMATIZATION   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL   Fully Coupled Multiphysics Simulation of Crosstalk Effect in Bipolar Resistive Random Access Memory 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 9, 页码: 3647-3653 作者:  Li, Shichao;  Chen, Wenchao;  Luo, Yandong;  Hu, Jun;  Gao, Pingqi 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/12/25