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长春光学精密机械与... [39]
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专题:长春光学精密机械与物理研究所
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The van der Waals Epitaxy of High-Quality N-Polar Gallium Nitride for High-Response Ultraviolet Photodetectors with Polarization Electric Field Modulation
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2022, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 11
作者:
Y. Chen
;
Z. M. Shi
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
K. Jiang
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2022/06/13
Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
S. L. Zhang
;
Z. M. Shi
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2023/06/14
Growth of high-quality wafer-scale graphene on dielectric substrate for high-response ultraviolet photodetector
期刊论文
Carbon, 2021, 卷号: 175, 页码: 155-163
作者:
Y. Chen
;
K. Jiang
;
H. Zang
;
J. Ben
;
S. Zhang
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2022/06/13
Origination and evolution of point defects in AlN film annealed at high temperature
期刊论文
Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 235
作者:
C. Kai
;
H. Zang
;
J. Ben
;
K. Jiang
;
Z. Shi
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2022/06/13
Optoelectronic Modulation of Undoped NiOx Films for Inverted Perovskite Solar Cells via Intrinsic Defect Regulation
期刊论文
Acs Applied Energy Materials, 2020, 卷号: 3, 期号: 10, 页码: 9732-9741
作者:
M. L. Feng,M. Wang,H. P. Zhou,W. Li,X. H. Xie,S. P. Wang,Z. G. Zang and S. J. Chen
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2021/07/06
Thickness and strain engineering of structural and electronic properties for 2D square-octagon AlN
期刊论文
International Journal of Smart and Nano Materials, 2020, 卷号: 11, 期号: 3, 页码: 288-297
作者:
W. T. Hou,Z. B. Qi,H. Zang,Y. Yan and Z. M. Shi
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2021/07/06
Elimination of the internal electrostatic field in two-dimensional GaN-based semiconductors
期刊论文
Npj 2d Materials and Applications, 2020, 卷号: 4, 期号: 1, 页码: 7
作者:
Y. P. Jia,Z. M. Shi,W. T. Hou,H. Zang,K. Jiang,Y. Chen,S. L. Zhang,Z. B. Qi,T. Wu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:
J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2021/07/06
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2021/07/06
Interferometric measurement of freeform surfaces using irregular subaperture stitching
期刊论文
Measurement Science and Technology, 2020, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 10
作者:
Z. M. Zang,J. Bai,D. Liu,Y. L. Liu,Y. H. Zhou,T. Shi,L. Zhang,L. Miao and W. Huang
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2021/07/06
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