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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current 期刊论文 ELECTRONICS LETTERS, 2018 作者:  Wang, Qilong;  Zhang, Bingliang;  Du, Zhongkai;  Zhao, Jie(赵杰);  Chen, Fu(陈扶) 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2019/03/27 Carbon Defect-Induced Reversible Carbon-Oxygen Interfaces for Efficient Oxygen Reduction 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018 作者:  Sun, Yue;  Zhao, Jiongpeng;  Zhou, Xiaochun(周小春);  Kang, Zhenhui;  Ning, Fandi(宁凡迪) 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2019/03/27 High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 12 作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2017/03/11