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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Behavioural investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 6 作者:  Deng, Qingwen;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yin, Haibo 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2021/02/02 Behavioural investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 6 作者:  Deng, Qingwen;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yin, Haibo 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2021/02/02 Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 5 作者:  Deng, Qingwen;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yin, Haibo 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/02/02 Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 5 作者:  Deng, Qingwen;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yin, Haibo 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02 Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/02/02 Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/02/02 Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  AlGaN alloys   Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2021/02/02 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  AlGaN alloys   An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: 6 作者:  Deng, Qingwen;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yin, Haibo 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/02/02