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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of a novel SOI LDMOS using p+ buried islands in the drift region by numerical simulations 期刊论文 2018, 卷号: 17, 页码: 646-652 作者:  Lei, Jianmei[1];  Hu, Shengdong[2];  Yang, Dong[2];  Huang, Ye[2];  Yuan, Qi[2] 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/11/30 Investigation of a novel SOI LDMOS using p plus buried islands in the drift region by numerical simulations 期刊论文 2018, 卷号: 17, 页码: 646-652 作者:  Lei, Jianmei[1];  Hu, Shengdong[2,3];  Yang, Dong[2,3];  Huang, Ye[2,3];  Yuan, Qi[2,3] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/30 An ultra-low specific on-resistance double-gate trench SOI LDMOS with P/N pillars 期刊论文 2017, 卷号: 112, 页码: 269-278 作者:  Yang, Dong[1,2];  Hu, Shengdong[1,2,3];  Lei, Jianmei[3];  Huang, Ye[1,2];  Yuan, Qi[1,2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28 A novel trench SOI LDMOS with a dual floating vertical field plate 期刊论文 2017, 卷号: 109, 页码: 134-144 作者:  Cheng, Kun[1,2];  Hu, Shengdong[1,2,3];  Lei, Jianmei[3];  Yuan, Qi[1,2];  Jiang, Yuyu[1,2] 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/11/28 Simulation-based performance analysis of an ultra-low specific on-resistance trench SOI LDMOS with a floating vertical field plate 期刊论文 2017, 卷号: 16, 页码: 83-89 作者:  Cheng, Kun[1];  Hu, Shengdong[1,2];  Jiang, Yuyu[1];  Yuan, Qi[1];  Yang, Dong[1] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/28 Ultra-Low Specific On-Resistance Trench SOI LDMOS with a Floating Lateral Field Plate 期刊论文 2017, 页码: 1-9 作者:  Yang, Dong[1];  Hu, Shengdong[1,2];  Huang, Ye[1];  Jiang, Yuyu[1];  Cheng, Kun[1] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/29 地面气候对井下气候的影响规律分析 Analysis on Impact Regularity of Surface Weather upon Underground Weather 期刊论文 2009, 卷号: 36, 页码: 57-59 作者:  姬建虎[1,2];  张习军[2];  梅勇[2];  刘朝文[2];  董军[2] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/28 烟气脱硫浆液池无搅拌氧化装置 专利 作者:  杨 剑;  杜云贵;  刘清才;  刘 艺;  董凌燕 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/11/30