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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Visual computing in electron crystallography 期刊论文 ZEITSCHRIFT FUR KRISTALLOGRAPHIE, 2003, 卷号: 218, 期号: 4, 页码: 308 Wan, ZH; Liu, YD; Fu, ZQ; Li, Y; Cheng, TZ; Li, FH; Fan, HF 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/23 INCOMMENSURATE INTERGROWTH COMPOUNDS  MODULATED STRUCTURES  IMAGE DECONVOLUTION  MICROSCOPY  DIFFRACTION  PROGRAM   Photoluminescence study of Si doping cubic GaN grown on (001) GaAs substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 420 Li, ZQ; Chen, H; Liu, HF; Wan, L; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  DOPED GAN  POTENTIAL FLUCTUATION  SEMICONDUCTORS   Epitaxial growth and characterization of GaN Films on (001) GaAs substrates by radio-frequency molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 390 Liu, HF; Chen, H; Wan, L; Li, ZQ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  LIGHT-EMITTING DIODES  HEXAGONAL GAN  CUBIC GAN  HETEROSTRUCTURE   Nucleation of hexagonal AlN in nitridized AlAs buffer on (001) GaAs substrate 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 222, 期号: 3, 页码: 507 Wan, L; Duan, XF; Chen, H; Liu, HF; Li, ZQ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  GAN  GROWTH  SILICON   Epitaxiall growth of cubic and hexagonal GaN films on GaAs(001) substrates by MBE 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2000, 卷号: 49, 期号: 6, 页码: 1132 Liu, HF; Chen, H; Li, ZQ; Wan, L; Huang, Q; Zhou, JM; Luo, Y; Han, YJ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  ZINCBLENDE  WURTZITE  SILICON  PHASE   Evidence for an open-ended nanotube growth model in arc discharge 期刊论文 CARBON, 2000, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 480 Tang, DS; Xie, SS; Liu, W; Chang, BH; Sun, LF; Liu, ZQ; Wan, G; Zhou, WY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/17 LARGE-SCALE SYNTHESIS  CARBON NANOTUBES   Influence of Si doping on optical characteristics of cubic GaN grown on (001) GaAs substrates 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 76, 期号: 25, 页码: 3765 Li, ZQ; Chen, H; Liu, HF; Wan, L; Zhang, MH; Huang, Q; Zhou, JM; Yang, N; Tao, K; Han, YJ; Luo, Y 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  DOPED GAN  POTENTIAL FLUCTUATION  SEMICONDUCTORS   MBE growth and Raman studies of cubic and hexagonal GaN films on (001)-oriented GaAs substrates 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 191 Liu, HF; Chen, H; Li, ZQ; Wan, L; Huang, Q; Zhou, JM; Yang, N; Tao, K; Han, YJ; Luo, Y 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/09/18 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  SPECTROSCOPY  ZINCBLENDE  WURTZITE  PHASE   Controllable cubic and hexagonal GaN growth on GaAs(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 210, 期号: 4, 页码: 811 Chen, H; Li, ZQ; Liu, HF; Wan, L; Zhang, MH; Huang, Q; Zhou, JM; Luo, Y; Han, YJ; Tao, K; Yang, N 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 GALLIUM NITRIDE  ZINCBLENDE  WURTZITE  SILICON  PHASE  FILMS   Transmission electron microscopy study of hexagonal GaN film grown on GaAs (001) substrate by using AlAs nucleation layer 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 379 Wan, L; Duan, XF; Chen, H; Liu, HF; Li, ZQ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  NITRIDE THIN-FILMS  GALLIUM NITRIDE  SILICON