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科研机构
西安交通大学 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2019 [1]
2017 [1]
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Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 3711-3728
作者:
Xie, Ruiliang
;
Yang, Xu
;
Xu, Guangzhao
;
Wei, Jin
;
Wang, Yuru
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提交时间:2019/11/19
Analytical approach
GaN HEMTs
Junction capacitances
Physical behaviors
Schottky junctions
Switching transient
Terminal measurements
Threshold-voltage instabilities
Expression and prognosis analyses of the Tob/BTG antiproliferative (APRO) protein family in human cancers
期刊论文
PLOS ONE, 2017, 卷号: 12
作者:
Bai, Yuru
;
Qiao, Lu
;
Xie, Ning
;
Shi, Yongquan
;
Liu, Na
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提交时间:2019/11/26
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