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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation into sand mura effects of a-IGZO TFT LCDs 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016 Liu, Xiang; Hu, Hehe; Ning, Ce; Shang, Guangliang; Yang, Wei; Wang, Ke; Lu, Xinhong; Lee, Woobong; Wang, Gang; Xue, Jianshe; Jun, Jung Mok; Zhang, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/12/03 a-IGZO TFTs  LCD reliability test  Sand mura  Threshold voltage shift  Positive  Thermal gate bias stress  THIN-FILM TRANSISTORS   Gate Bias Stress-Induced Threshold Voltage Shift Effect of a-IGZO TFTs with Cu Gate 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2014 Liu, Xiang; Wang, Lisa Ling; Ning, Ce; Hu, Hehe; Yang, Wei; Wang, Ke; Yoo, Seong Yeol; Zhang, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/10 Amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors (a-IGZO TFTs)  copper diffusion  copper gate  stacked gate insulator  threshold voltage shift  THIN-FILM TRANSISTORS