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Effect of Processing Parameters on Monolayer MoS2 Prepared by APCVD in a Quasiclosed Crucible 期刊论文
2019, 卷号: 48, 页码: 4947-4958
作者:  Yang, Yong;  Pu, Hongbin;  Li, Lianbi;  Di, Junjie;  Lin, Tao
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Preparation of SiC/Ge/graphene heterostructure on 4H-SiC(0001) 期刊论文
2018, 卷号: 211, 页码: 133-137
作者:  Chu, Qing;  Li, Lianbi;  Zhu, Changjun;  Zang, Yuan;  Lin, Shenghuang
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First-Principles Calculations on Atomic and Electronic Properties of Ge/4H-SiC Heterojunction 期刊论文
2018
作者:  Xu, Bei;  Zhu, Changjun;  He, Xiaomin;  Zang, Yuan;  Lin, Shenghuang
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Growth of graphene/Ge/Si heterostructure on Si(001) substrate 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2017, 卷号: 205, 页码: 162-164
作者:  Zang, Yuan;  Li, Lianbi;  Chu, Qing;  Han, Yuling;  Pu, Hongbin
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Growth of monolayer MoS2 films in a quasi-closed crucible encapsulated substrates by chemical vapor deposition 期刊论文
2017, 卷号: 679, 页码: 181-184
作者:  Yang, Yong;  Pu, Hongbin;  Lin, Tao;  Li, Lianbi;  Zhang, Shan
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Growth of graphene/Ge/Si heterostructure on Si(001) substrate 期刊论文
2017, 卷号: 205, 页码: 162-164
作者:  Zang, Yuan;  Li, Lianbi;  Chu, Qing;  Han, Yuling;  Pu, Hongbin
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Photoelectric Properties of Si Doping Superlattice Structure on 6H-SiC(0001) 期刊论文
2017, 卷号: 10
作者:  Li Lianbi;  Zang Yuan;  Hu Jichao;  Lin Shenghuang;  Chen Zhiming
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Characterization of AlN thin film prepared by reactive sputtering 期刊论文
2016, 卷号: 48, 页码: 1029-1032
作者:  Zang, Yuan;  Li, Lianbi;  Ren, Zhanqiang;  Cao, Ling;  Zhang, Yan
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p(+)-Si/i-Si/n-SiC heterostructure photodiode used in visible region 期刊论文
2014, 卷号: 8, 页码: 387-389
作者:  Li Lianbi;  Chen Zhiming;  Zang Yuan;  Liu Wentao;  Hu Jichao
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First-principles study on Si(-220)/6H-SiC(0001) interface 期刊论文
2014, 卷号: 177, 页码: 20-24
作者:  Fan, Shengjia;  Chen, Zhiming;  He, Xiaomin;  Li, Lianbi
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