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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
学科主题
光电子学 [1]
半导体物理 [1]
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 12, 页码: 123504
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Meng LG
;
Yu YX
;
Luan CB
;
Cao ZF
;
Chen H
;
Sun BQ
;
Wang ZG
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提交时间:2012/01/06
The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106
Ma, ZF
;
Zhao, DG
;
Wang, YT
;
Jiang, DS
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Sun, BJ
;
Yang, H
;
Liang, JW
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2010/03/08
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