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科研机构
微电子研究所 [9]
内容类型
外文期刊 [9]
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2010 [1]
2009 [2]
2008 [3]
2007 [3]
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内容类型:外文期刊
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Filtering performance improvement in V-doped ZnO/diamond surface acoustic wave filters
外文期刊
2010
作者:
Luo, JT
;
Zeng, F
;
Pan, F
;
Li, HF
;
Niu, JB
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/26
Zno Films
Thin-films
Diamond Films
Deposition
Resistivity
Devices
Quality
Silicon nanocrystals synthesized by electron-beam co-evaporation method and their application for nonvolatile memory
外文期刊
2009
作者:
Jia, R
;
Chen, C
;
Liu, M
;
Li, WL
;
Zhu, CX
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/26
Energy Ion-beam
Si Nanocrystals
Emission
Density
Devices
Enhanced charge storage characteristics of silicon nanocrystals fabricated by electron-beam coevaporation of Si and SiOx(x=1 or 2)
外文期刊
2009
作者:
Li, WL
;
Jia, R
;
Chen, C
;
Wu, NJ
;
Tamotsu, H
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/26
Microcrystalline Silicon
Raman-spectra
Memory
Films
Charge storage characteristics of metal-induced nanocrystalline in erbium-doped amorphous silicon films
外文期刊
2008
作者:
Li, ZG
;
Guan, WH
;
Liu, M
;
Long, SB
;
Jia, R
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/26
Memory
Oxide
Fabrication
Er
Comparison of discrete-storage nonvolatile memories: advantage of hybrid method for fabrication of Au nanocrystal nonvolatile memory
外文期刊
2008
作者:
Wang, Q
;
Jia, R
;
Guan, W
;
Li, W
;
Liu, Q
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/26
Metal
Controllable and reproducible fabrication of high anisotropic organic field effect transistors
外文期刊
2008
作者:
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/26
Thin-film Transistors
Polarized Electroluminescence
Electrical Characteristics
Alignment
Mobility
Orientation
Transport
Charge storage characteristics of hydrogenated nanocrystalline silicon film prepared by rapid thermal annealing
外文期刊
2007
作者:
Li, ZG
;
Long, SB
;
Liu, M
;
Wang, CS
;
Jia, R
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/26
Chemical-vapor-deposition
Solar-cells
Transistors
Memories
Modeling of retention characteristics for metal and semiconductor nanocrystal memories
外文期刊
2007
作者:
Guan, WH
;
Long, SB
;
Liu, M
;
Liu, Q
;
Hu, Y
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/26
Electronic-properties
Tunnel Barrier
Performance
Fabrication
Size
Surface-induced large side-gating phenomenon in GaAs quantum wire transistors and its removal by surface passivation using Si interface control layer
外文期刊
2007
作者:
Jia, R
;
Kasai, S
;
Wang, Q
;
Long, SB
;
Bin Niu, J
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/26
Level Transient Spectroscopy
Field-effect Transistors
Wrap-gate Control
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