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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of endurance characteristic using PDO method in FLOTOX EEPROM structures 其他 2004-01-01 Xie, B; He, YD; Xu, MZ; Tan, CH 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/16 CELLS   Conductivity to first SBD of a stress induced leakage path in ultrathin thermal oxides 其他 2004-01-01 Xu, MZ; Tan, CH; He, YD 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 dielectric breakdown  gate oxide  MOS devices  reliability  GATE OXIDES  BREAKDOWN   Study on near-flatband-voltage SILC in ultra-thin plasma nitrided gate oxides 其他 2004-01-01 He, YD; Xu, MZ; Tan, CH 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 GENERATION  THICKNESS   Proportional difference method for determination of the threshold voltage and the effect inversion carrier mobility of an MOSFET 其他 1998-01-01 Xu, MZ; Tan, CH; He, YD; Xie, B; Wang, JY; Wang, LQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 GENERATION   An unified model to characterize the strong inversion high-frequency capacitance in thin oxide MOS structures under Fowler-Nordheim tunneling injection condition 其他 1998-01-01 Xie, B; He, YD; Xu, MZ; Tan, CH 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 CHARGE