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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：会议     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-performance calcium-doped zinc oxide thin-film transistors fabricated on glass at low temperature (CPCI-S收录) 会议 作者:  Yu, Wen[1,2];  Han, Dedong[2];  Cui, Guodong[2];  Cong, Yingying[2];  Dong, Junchen[2] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/11 Simple leakage Current and 1/f Noise Expressions for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors (CPCI-S收录) 会议 作者:  He, Hongyu[1,2];  Deng, Wanling[3];  Liu, Yuan[4];  Lin, Xinnan[2];  Zheng, Xueren[5] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/11 Simple leakage current and 1/f noise expressions for polycrystalline silicon thin-film transistors (EI收录) 会议 Hong Kong, Hong kong, 作者:  He, Hongyu[1,2];  Deng, Wanling[3];  Liu, Yuan[4];  Lin, Xinnan[2];  Zheng, Xueren[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/11 Drain current  Electron devices  Leakage currents  Polycrystalline materials  Polysilicon  Power spectral density  Solid state devices  Spectral density  Thin film transistors  Thin films   Effects of various oxygen partial pressures on Ti-doped ZnO thin film transistors fabricated on flexible plastic substrate (CPCI-S收录) 会议 作者:  Cui, Guodong[1];  Han, Dedong[1];  Yu, Wen[1,2];  Shi, Pan[1,2];  Zhang, Yi[1] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/11 Analysis of 1/f Noise for Polycrystalline Silicon TFTs Considering Mobility Power-Law Parameter (CPCI-S收录) 会议 作者:  He, Hongyu[1,2];  Liu, Yuan[3];  Wang, Hao[4];  Lin, Xinnan[2];  Zheng, Xueren[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/11 Fully-transparent Mo-doped ZnO TFTs Fabricated in Different Oxygen Partial Pressure at Low Temperature (CPCI-S收录) 会议 作者:  Shi, Pan[1,2];  Han, Dedong[2,3];  Zhang, Yi[2,3];  Yu, Wen[1,2];  Huang, Lingling[2,3] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/11