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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of source and drain contacts on the properties of the indium-zinc oxide thin-film transistors based on anodic aluminum oxide gate d (EI收录) 会议论文 Journal of Applied Physics 作者:  Lan, Linfeng[1,2];  Xu, Miao[2];  Peng, Junbiao[1,2];  Xu, Hua[1];  Li, Min[1] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/15 Aluminum  Anodic oxidation  Dielectric materials  Electrodes  Electron mobility  Indium  Oxides  Thin film transistors  X ray photoelectron spectroscopy  Zinc  Zinc oxide