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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The Statistics of Set Time of Oxide-based Resistive Switching Memory 会议论文 作者:  Zhang MY(张美芸);  Wang GM(王国明);  Yu ZA(余兆安);  Li Y(李阳);  Xu DL(许定林) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/05/19 INVESTIGATION OF THE FORMING PROGRAM FAILTURE IN ITIR STRUCTURE 会议论文 作者:  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Wang GM(王国明);  Zhang MY(张美芸);  Liu HT(刘红涛) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/06/14 Justification and Monte Carlo simulation of microstructure evolution process of conductive filament in reset transition in Cu/HfO2/Pt RRAM 会议论文 作者:  Liu Q(刘琦);  Xu XX(许晓欣);  Zhang MY(张美芸);  Wang GM(王国明);  Liu M(刘明) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/06/14 Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM 会议论文 作者:  Liu M(刘明);  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳);  Xu DL(许定林);  Xu XX(许晓欣) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/06/14 Methodology for stability evaluation on the multi-level storages of oxide-based conductive bridge RAM (CBRAM) 会议论文 作者:  Zhang MY(张美芸);  Lv HB(吕杭炳);  Liu M(刘明);  Liu HT(刘红涛);  Xu XX(许晓欣) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/14 Study of the set statistical characteristics in the Cu/HfO2/Pt-based RRAM device 会议论文 Guilin, 2014-10-28 作者:  Sun PX(孙鹏霄);  Wang M(王明);  Liu HT(刘红涛);  Xu XX(许晓欣);  Li Y(李阳) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/10/14