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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MOCVD-grown InGaAsN using efficient and novel precursor, tertibutylhydrazine, for optoelectronic and electronic device applications 专利 专利号: US20020102847A1, 申请日期: 2002-08-01, 公开日期: 2002-08-01 作者:  SHARPS, PAUL R.;  HOU, HONG QI;  LI, NEIN-YI;  KANJOLIA, RAVI 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31