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硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国
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直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 杨涛; 王占国
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2014/11/24
硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-14
杨涛; 王小耶
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