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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic-structure, corrosion and mechanical properties of nc-CrC/a-C:H films deposited by multi-arc ion plating 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 750, 页码: 560-569 作者:  Li, Y.;  Lu, H. M.;  Miao, L. J.;  Huang, Q.;  Jiang, X. 收藏  |  浏览/下载：208/0  |  提交时间：2018/12/04 Ray Photoelectron-spectroscopy  Bulk Nanocrystalline Aluminum  Electrochemical Corrosion  Nanocomposite Coatings  Carbon  Temperature  Microstructure  Performance  Resistance  Oxidation   Electronic-structure, corrosion and mechanical properties of nc-CrC/a-C:H films deposited by multi-arc ion plating 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 750, 页码: 560-569 作者:  Li, Y.;  Lu, H. M.;  Miao, L. J.;  Huang, Q.;  Jiang, X. 收藏  |  浏览/下载：199/0  |  提交时间：2018/12/04 Ray Photoelectron-spectroscopy  Bulk Nanocrystalline Aluminum  Electrochemical Corrosion  Nanocomposite Coatings  Carbon  Temperature  Microstructure  Performance  Resistance  Oxidation   Search for new phenomena with the monojet and missing transverse momentum signature using the ATLAS detector in root s=7 TeV proton-proton collisions 期刊论文 PHYSICS LETTERS B, 2011, 卷号: 705, 期号: 4, 页码: 294-312 作者:  Aad, G;  Abbott, B;  Abdallah, J;  Abdelalim, AA;  Abdesselam, A 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2016/06/27 Surface structures of ternary iron arsenides AFe(2)As(2) (A = Ba, Sr, or Ca) 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2010, 卷号: 81, 期号: 19, 页码: - 作者:  Xiang, Tao;  Gao, Miao;  Ma, Fengjie;  Lu, Zhong-Yi;  Gao, MA , Renmin Univ China, Dept Phys, Beijing 100872, Peoples R China 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/08/02 Different origins of the yellow luminescence in as-grown high-resistance GaN and unintentional-doped GaN films 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107, 期号: 2, 页码: 23528 作者:  Xu, FJ;  Shen, B;  Lu, L;  Miao, ZL;  Song, J 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/06/29 gallium compounds  III-V semiconductors  MOCVD  photoluminescence  positron annihilation  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors