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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total ionizing dose effect on 0.18 mu m narrow-channel NMOS transistors 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 13 作者:  Wu Xue;  Lu Wu;  Wang Xin;  Xi Shan-Bin;  Guo Qi 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/11/07 0.18 mu m  narrow-channel NMOS transistor  60Co gamma  RINCE   Origin of the redshift of the luminescence peak in InGaN light-emitting diodes exposed to Co-60 gamma-ray irradiation 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 112, 期号: 12, 页码: - 作者:  Li Y. L.;  Wang X. J.;  He S. M.;  Zhang B.;  Sun L. X. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/11/07 Synthesis, structure, and properties of a novel hydrated borate Rb-4[B4O5(OH)(4)](2)center dot 3H(2)O 期刊论文 SOLID STATE SCIENCES, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 82-87 作者:  Zhao Yi;  Pan Shilie;  Li Feng;  Wang Yongjiang;  Fan Xiaoyun 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/11/07 Rb-4B4O5(OH)(4)(2)center dot 3H(2)O  Borate  Crystal structure  Crystal growth   ELDRS and dose-rate dependence of vertical NPN transistor 期刊论文 CHINESE PHYSICS C, 2009, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 47-49 作者:  Zheng Yu-Zhan;  Lu Wu;  Ren Di-Yuan;  Wang Gai-Li;  Yu Xue-Feng 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/29 bipolar junction transistor  ELDRS effect  dose-rate dependence