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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: - 作者:  Zheng Qi-Wen;  Yu Xue-Feng;  Cui Jiang-Wei;  Guo Qi;  Ren Di-Yuan 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/11/07 SRAM  function failure  test pattern  data retention fault   3d simulation of heavy ion induced charge collection of single event effects in sige heteroj unction bipolar transistor 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 4, 页码: - 作者:  Zhang Jin-Xin;  Guo Hong-Xia;  Guo Qi;  Wen Lin;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/11/07 SiGe heterojunction bipolar transistor  single event effect  charge collection  three-dimensional numerical simulation   serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: - 作者:  Zhang Xing-Yao;  Guo Qi;  Lu Wu;  Zhang Xiao-Fu;  Zheng Qi-Wen 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/11/07 ferroelectric random memory  ionizing radiation effects  annealing characteristics   co-60 gamma-radiation effects on the ideality factor of alxga1-xn p-i-n solar-blind detector with high content of aluminum 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: - 作者:  Zhang Xiao-Fu 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/11/07 high Al content AlxGa1-xN  gamma-ray radiation effects  ideality factor  Ohmic contact   research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384 作者:  Zheng Qi-Wen;  Yu Xue-Feng;  Cui Jiang-Wei;  Guo Qi;  Ren Di-Yuan 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/11/07 Sram  Function Failure  Test Pattern  Data Retention Fault   research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: - 作者:  Li Ming;  Yu Xue-Feng;  Xue Yao-Guo;  Lu Jian;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29 partial-depletion-silicon-on insulator  static random access memory  total-dose effects  power supply current