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科研机构
上海微系统与信息技术... [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
2004 [2]
2003 [1]
1998 [1]
1996 [1]
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学科主题
Physics, A... [7]
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学科主题:Physics, Applied
专题:上海微系统与信息技术研究所
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Phase change memory based on Ge2Sb2Te5 capped between polygermanium layers
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 92, 期号: 11, 页码: 113503-113503
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Gong, YF
;
Lin, Y
;
Xu, C
;
Chen, YF
;
Liu, B
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
Fabrication of silicon-on-SiO2/diamondlike-carbon dual insulator using ion cutting and mitigation of self-heating effects
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 14, 页码: 142108-142108
Di, ZF
;
Chu, PK
;
Zhu, M
;
Fu, RKY
;
Luo, SH
;
Shao, L
;
Nastasi, M
;
Chen, P
;
Alford, TL
;
Mayer, JW
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Song, ZT
;
Lin, CL
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/03/24
SILICON-ON-DIAMOND
IMPLANTATION
TECHNOLOGY
MOSFETS
Low-temperature photoluminescence of hydrogen ion and plasma implanted silicon and porous silicon
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 1, 页码: 248-251
An, ZH
;
Fu, RKY
;
Li, WL
;
Chen, P
;
Chu, PK
;
Li, KF
;
Luo, L
;
Tam, HL
;
Cheah, KW
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
LIGHT-EMISSION
DEFECTS
Fabrication and ethanol sensing characteristics of ZnO nanowire gas sensors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 84, 期号: 18, 页码: 3654-3656
Wan, Q
;
Li, QH
;
Chen, YJ
;
Wang, TH
;
He, XL
;
Li, JP
;
Lin, CL
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL SENSORS
NANOBELTS
Relaxed silicon-germanium-on-insulator substrates by oxygen implantation into pseudomorphic silicon germanium/silicon heterostructure
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 82, 期号: 15, 页码: 2452-2454
An, ZH
;
Wu, YJ
;
Zhang, M
;
Di, ZF
;
Lin, CL
;
Fu, RKY
;
Chen, P
;
Chu, PK
;
Cheung, WY
;
Wong, SP
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
HOLE MOBILITY ENHANCEMENT
STRAINED-SI
ELECTRON
MOSFETS
LAYER
Structural characterization of codeposition growth beta-FeSi2 film
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1998, 卷号: 37, 期号: 2, 页码: 622-625
Lin, CG
;
Wang, LW
;
Chen, XD
;
Chen, LF
;
Wang, LM
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/25
OPTICAL-TRANSITION
THIN-FILMS
DISILICIDE
MOSSBAUER
EPITAXY
FESI2
Characterization of FeSix film by codeposition on beta-FeSi2 template
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 68, 期号: 20, 页码: 2858-2860
Chen, XD
;
Wang, LW
;
Shen, QW
;
Ni, RS
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/25
DISILICIDE
SI(111)
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