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上海微系统与信息技术... [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [2]
学科主题
Applied [2]
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Total ionizing dose effects in elementary devices for 180-nm flash technologies
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1295-1301
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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提交时间:2012/04/10
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
Comparison of TID response in core, input/output and high voltage transistors for flash memory
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 1148-1151
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Ning,BX
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2012/04/10
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
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