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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3 期刊论文 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435 Zhou SQ; Wu MF; Yao SD; Liu JP; Yang H 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 nitride semiconductors  interface  Rutherford backscattering/channeling  transmission electron microscopy  x-ray diffraction  SUPER-LATTICES  STRAIN  GAN   Thermal annealing behaviour of Pt on n-GaN Schottky contacts 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2003, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1018-1022 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：179/3  |  提交时间：2010/08/12 BARRIER FORMATION  DIODES  PD   Depth dependence of the tetragonal distortion of a GaN layer on Si(111) studied by Rutherford backscattering/channeling 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 22, 页码: 4130-4132 Wu MF; Chen CC; Zhu DZ; Zhou SQ; Vantomme A; Langouche G; Zhang BS; Yang H 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY-DIFFRACTION  ELASTIC STRAIN  INGAN   Compensation ratio-dependent concentration of a VInH4 complex in n-type liquid encapsulated Czochralski InP 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 9, 页码: 1275-1277 Fung S; Zhao YW; Beling CD; Xu XL; Gong M; Sun NF; Sun TN; Chen XD; Zhang RG; Liu SL; Yang GY; Qian JJ; Sun MF; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMICONDUCTORS  HYDROGEN  DEFECTS  MECHANISM   Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906 Wu MF; Yao SD; Vantomme A; Hogg S; Pattyn H; Langouche G; Yang QQ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 YTTRIUM-SILICIDE LAYERS  ERSI1.7 LAYERS  COSI2 LAYERS  THIN-FILMS  IMPLANTATION  SI  DIFFRACTION  STABILITY  KINETICS  SI(111)