QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Size self-scaling effect in stacked InAs/InAlAs nanowire multilayers 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 21, 页码: 5061-5063 Sun ZZ; Yoon SF; Wu J; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：119/27  |  提交时间：2010/03/09 INAS QUANTUM WIRES   Origin of the vertical-anticorrelation arrays of InAs/InAlAs nanowires with a fixed layer-ordering orientation 期刊论文 journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 9, 页码: 6021-6026 Sun ZZ; Yoon SF; Wu J; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：81/9  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MORPHOLOGY  MODULATIONS  SURFACES  INP(001)  GROWTH  ALLOY  INP   Room-temperature optical transitions in Mg-doped cubic GaN/GaAs(100) grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 4, 页码: 2064-2066 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  GAN FILMS   Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  NITRIDE SEMICONDUCTORS  STRESS   Optical characterization of high-purity cubic GaN grown on GaAs (001) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 21, 页码: 3025-3027 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHOTOLUMINESCENCE   INVESTIGATION OF C-60 SINGLE-CRYSTAL BY X-RAY-METHODS 期刊论文 chinese physics letters, 1995, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 217-220 LI CR; MAI ZH; WANG G; WANG YT; WU LS; CUI SF; XIE SS; JIANG JH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 CONDUCTIVITY