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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence studies on self-organized 1.55-mu m InAs/InGaAsP/InP quantum dots under hydrostatic pressure 期刊论文 journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 2, 页码: 023510 Zhou, PY; Dou, XM; Wu, XF; Ding, K; Luo, S; Yang, T; Zhu, HJ; Jiang, DS; Sun, BQ 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/03/20 Abnormal energy dependence of photoluminescence decay time in InGaN epilayer 期刊论文 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 2529-2532 Huang, JS; Luo, XD; Yang, XD; Sun, Z; Sun, BQ; Xu, ZY; Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/17 MULTIPLE-QUANTUM WELLS   Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 Luo XD; Xu ZY; Sun BQ; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  photoluminescence  band offset  band bowing coefficient  localized exciton  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  TEMPERATURE  GAASN   Interband luminescence and absorption of GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 20, 页码: 2862-2864 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 ALLOYS  GAASN  NITROGEN  PHOTOLUMINESCENCE  LOCALIZATION  SPECTROSCOPY