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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-power and long-lifetime InAs/GaAs quantum-dot laser at 1080 nm 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 18, 页码: 2868-2870 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：215/69  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE   Effect of growth temperature on luminescence and structure of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 2048-2050 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LASER-DIODES  PHOTOLUMINESCENCE  THRESHOLD  EMISSION   Unusual temperature-dependent optical properties of self-organized InAs/GaAs quantum dots at high excitation power 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 982-985 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：99/12  |  提交时间：2010/08/12 ENERGY RELAXATION  EMISSION  LASERS   Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 9, 页码: 5433-5436 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 INAS ISLANDS  GROWTH  GAAS  RELAXATION  EVOLUTION  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY  SIZE   Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   Self-organized type-II In0.55Al0.45As/Al0.50Ga0.50As quantum dots realized on GaAs(311)A 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 25, 页码: 3741-3743 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  LINEWIDTH  INJECTION  EMISSION  WIRES  LASER