×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2017 [1]
2016 [1]
2015 [1]
2009 [1]
2006 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
A deterministic quantum dot micropillar single photon source with >65% extraction efficiency based on fluorescence imaging method
期刊论文
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 13986
作者:
Shunfa Liu
;
Yuming Wei
;
Rongling Su
;
Rongbin Su
;
Ben Ma
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2018/06/15
Proper In deposition amount for on-demand epitaxy of InAs/GaAs single quantum dots
期刊论文
chinese physics b, 2016, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 107805
Xiang-Jun Shang
;
Jian-Xing Xu
;
Ben Ma
;
Ze-Sheng Chen
;
Si-Hang Wei
;
Mi-Feng Li
;
Guo-Wei Zha
;
Li-Chun Zhang
;
Ying Yu
;
Hai-Qiao Ni
;
Zhi-Chuan Niu
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2017/03/10
In situ probing and integration of single self-assembled quantum dots-in-nanowires for quantum photonics
期刊论文
nanotechnology, 2015, 卷号: 26, 期号: 38, 页码: 385706-385712
Guo-Wei Zha
;
Xiang-Jun Shang
;
Hai-Qiao Ni
;
Ying Yu
;
Jian-Xing Xu
;
Si-Hang Wei
;
Ben Ma
;
Li-Chun Zhang
;
Zhi-Chuan Niu
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2016/03/29
Spin Relaxation of Electrons in Single InAs Quantum Dots
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: art.no.117201
Ma SS (Ma Shan-Shan)
;
Dou XM (Dou Xiu-Ming)
;
Chang XY (Chang Xiu-Ying)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Xiong YH (Xiong Yong-Hua)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
收藏
  |  
浏览/下载:111/23
  |  
提交时间:2010/03/08
A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 2422-2426
Ma L (Ma Long)
;
Huang YL (Huang Ying-Long)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Yang FH (Yang Fu-Hua)
;
Wang LC (Wang Liang-Chen)
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2010/04/11
resonant tunnelling diode (RTD)
high electron mobility transistor (HEMT)
molecular beam epitaxy (MBE)
bistability
self-latching
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace