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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2012 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
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Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al 0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 00218979
Luan, Chongbiao
;
Lin, Zhaojun
;
Feng, Zhihong
;
Meng, Lingguo
;
Lv, Yuanjie
;
Cao, Zhifang
;
Yu, Yingxia
;
Wang, Zhanguo
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提交时间:2013/05/07
Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 434
Lv YJ (Lv, Yuanjie)
;
Lin ZJ (Lin, Zhaojun)
;
Meng LG (Meng, Lingguo)
;
Luan CB (Luan, Chongbiao)
;
Cao ZF (Cao, Zhifang)
;
Yu YX (Yu, Yingxia)
;
Feng ZH (Feng, Zhihong)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/04/02
Influence of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 11, 页码: 113501
Luan CB (Luan, Chongbiao)
;
Lin ZJ (Lin, Zhaojun)
;
Lv YJ (Lv, Yuanjie)
;
Meng LG (Meng, Lingguo)
;
Yu YX (Yu, Yingxia)
;
Cao ZF (Cao, Zhifang)
;
Chen H (Chen, Hong)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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提交时间:2013/03/27
Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 054513
Luan CB (Luan, Chongbiao)
;
Lin ZJ (Lin, Zhaojun)
;
Feng ZH (Feng, Zhihong)
;
Meng LG (Meng, Lingguo)
;
Lv YJ (Lv, Yuanjie)
;
Cao ZF (Cao, Zhifang)
;
Yu YX (Yu, Yingxia)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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提交时间:2013/04/02
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