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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
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2013 [2]
2012 [2]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN_AlN_GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 047102
Cao Zhi-Fang , Lin Zhao-Jun, Lü Yuan-Jie, Luan Chong-Biao and Wang Zhan-Guo
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提交时间:2014/03/18
Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 047102
Cao Zhi-Fang
;
Lin Zhao-Jun
;
Lu Yuan-Jie
;
Luan Chong-Biao
;
Wang Zhan-Guo
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提交时间:2013/09/17
A simple method of extracting the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 097104
Lu YJ (Lu Yuan-Jie)
;
Lin ZJ (Lin Zhao-Jun)
;
Yu YX (Yu Ying-Xia)
;
Meng LG (Meng Ling-Guo)
;
Cao ZF (Cao Zhi-Fang)
;
Luan CB (Luan Chong-Biao)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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提交时间:2013/04/02
A simple method of extracting the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 16741056
Lü, Yuan-Jie
;
Lin, Zhao-Jun
;
Yu, Ying-Xia
;
Meng, Ling-Guo
;
Cao, Zhi-Fang
;
Luan, Chong-Biao
;
Wang, Zhan-Guo
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提交时间:2013/05/07
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