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科研机构
半导体研究所 [16]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [3]
发表日期
2014 [3]
2012 [1]
2000 [1]
1999 [6]
1998 [4]
1992 [1]
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学科主题
半导体材料 [16]
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学科主题:半导体材料
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Mobility limited by cluster scattering in ternary alloy quantum wires
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 017305
Zhang, H
;
Yang, SY
;
Liu, GP
;
Wang, JX
;
Jin, DD
;
Li, HJ
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/05/11
Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 4, 页码: 043702
Jin, DD
;
Wang, LS
;
Yang, SY
;
Zhang, LW
;
Li, HJ
;
Zhang, H
;
Wang, JX
;
Xiang, RF
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2015/03/20
Single-crystalline GaN nanotube arrays grown on c-Al2O3 substrates using InN nanorods as templates
期刊论文
journal of crystal growth, 2014, 卷号: 389, 页码: 1-4
Li, HJ
;
Liu, CB
;
Liu, GP
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Wang, JX
;
Zhang, H
;
Jin, DD
;
Feng, YX
;
Yang, SY
;
Wang, LS
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/04/02
Calculation of discrepancies in measured valence band offsets of heterojunctions with different crystal polarities
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 11, 页码: 113712
Li HJ (Li, Huijie)
;
Liu XL (Liu, Xianglin)
;
Wang JX (Wang, Jianxia)
;
Jin DD (Jin, Dongdong)
;
Zhang H (Zhang, Heng)
;
Yang SY (Yang, Shaoyan)
;
Liu SM (Liu, Shuman)
;
Mao W (Mao, Wei)
;
Hao Y (Hao, Yue)
;
Zhu QS (Zhu, QinSheng)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/26
Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326
Liu JP
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:70/14
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提交时间:2010/08/12
n-type doping
p-type doping
Si/SiGe
HBT
GSMBE
SI
Evolution of height distribution of Ge islands on Si(1 0 0)
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 617-620
Liu JP
;
Gong Q
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
Ge islands
Ge films
bimodal distribution
Ehrlich-Schwoebel barriers
SI(001)
HETEROEPITAXIAL GROWTH
Effect of rapid thermal annealing on the Raman spectrum of Si0.33Ge0.67/Si (100) alloy
会议论文
9th international symposium on nondestructive characterization of materials, sydney, australia, jun 28-jul 02, 1999
Liu JP
;
Kong MY
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/10/29
STRAIN-SHIFT COEFFICIENTS
SI1-XGEX
SILICON
PHONONS
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 556-559
Liu JP
;
Kong MY
;
Liu XF
;
Li JP
;
Huang DD
;
Li LX
;
Sun DZ
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
strain relaxation
Si SiGe
interdiffusion
morphological evolution
QUANTUM DOTS
RELAXATION
INAS
STRANSKI-KRASTANOW GROWTH
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Liu JP
;
Kong MY
;
Liu XF
;
Li JP
;
Huang DD
;
Li LX
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/15
STRANSKI-KRASTANOW GROWTH
QUANTUM DOTS
RELAXATION
INAS
Effect of Si overgrowth on the structural and luminescence properties of Ge islands on Si(100)
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 207, 期号: 1-2, 页码: 150-153
Liu JP
;
Wang JZ
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
PHOTOLUMINESCENCE
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