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科研机构
半导体研究所 [19]
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期刊论文 [19]
发表日期
2014 [2]
2012 [1]
2011 [3]
2009 [1]
2007 [4]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [19]
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学科主题:半导体材料
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Theoretical model of the polarization Coulomb field scattering in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 4, 页码: 044507
Luan, CB
;
Lin, ZJ
;
Lv, YJ
;
Zhao, JT
;
Wang, YT
;
Chen, H
;
Wang, ZG
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/19
Evidence of Type-II Band Alignment in III-nitride Semiconductors: Experimental and theoretical investigation for In0.17Al0.83N/GaN heterostructures
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6521
Wang, JM
;
Xu, FJ
;
Zhang, X
;
An, W
;
Li, XZ
;
Song, J
;
Ge, WK
;
Tian, GS
;
Lu, J
;
Wang, XQ
;
Tang, N
;
Yang, ZJ
;
Li, W
;
Wang, WY
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Shen, B
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/03/20
Influence of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 11, 页码: 113501
Luan CB (Luan, Chongbiao)
;
Lin ZJ (Lin, Zhaojun)
;
Lv YJ (Lv, Yuanjie)
;
Meng LG (Meng, Lingguo)
;
Yu YX (Yu, Yingxia)
;
Cao ZF (Cao, Zhifang)
;
Chen H (Chen, Hong)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/03/27
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
收藏
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
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浏览/下载:57/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.123512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Cao ZF
;
Chen H
;
Wang ZG
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浏览/下载:67/9
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提交时间:2011/07/05
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
INTERFACIAL LAYER
MOBILITY
Determination of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3980-3984
Zhao JZ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhang Y
;
Lu YJ
;
Lu W
;
Wang ZG
;
Chen H
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浏览/下载:95/25
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提交时间:2010/03/08
relative permittivity
AlGaN barrier layer
AlGaN/GaN heterostructures
Photovoltaic and electroluminescence characters in hybrid ZnO and conjugated polymer bulk heterojunction devices
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 1350-1353
Liu JP (Liu Jun-Peng)
;
Qu SC (Qu Sheng-Chun)
;
Xu Y (Xu Ying)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Zeng XB (Zeng Xiang-Bo)
;
Wang ZJ (Wang Zhi-Jie)
;
Zhou HY (Zhou Hui-Ying)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/03/29
SOLAR-CELLS
Effect of ultraviolet light on hybrid zinc oxide polymer bulk heterojunction solar cells
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 2070-2073
Liu JP (Liu Jun-Peng)
;
Qu SC (Qu Sheng-Chun)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Xu Y (Xu Ying)
;
Zeng XB (Zeng Xiang-Bo)
;
Liang LY (Liang Ling-Yan)
;
Wang ZJ (Wang Zhi-Jie)
;
Zhou HY (Zhou Hui-Ying)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
CONJUGATED POLYMER
Room-temperature spin-oriented photocurrent under near-infrared irradiation and comparison of optical means with Shubnikov de-Haas measurements in AlXGa1-XN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 7, 页码: art.no.071920
Tang YQ
;
Shen B
;
He XW
;
Han K
;
Tang N
;
Chen WH
;
Yang ZJ
;
Zhang GY
;
Chen YH
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Cho KS
;
Chen YF
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/03/29
POLARIZATION
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